Российское предприятие НИИТМ (Зеленоград, Москва) завершило разработку и выпустило опытный образец первой отечественной установки плазмохимического осаждения на 300-мм кремниевых пластинах. Это оборудование востребовано в программах по созданию российской микроэлектронной промышленности. Ранее аналогичные установки приобретались за рубежом, а имевшиеся отечественные работали с пластинами меньшего размера, что снижало количество готовых чипов и повышало их стоимость.

На разработку и создание действующей первой российской установки для плазмохимического осаждения на кремниевых пластинах диаметром 300 мм ушло менее 4 лет (проект стартовал в 2021 году).

Разработанные и внедренные в оборудовании российские технологии позволяют работать не только с нынешними 350-нм микросхемами, которые в нашей стране могут производить на своем оборудовании, но и с перспективными для России интегральными схемами — с топологией 28 нанометров.

Новое оборудование основано на модульном принципе, что дает возможность гибко адаптировать его под конкретные производства. Так, конструктивно опытный образец состоит из четырех различных технологических модулей, объединенных общей роботизированной транспортной системой для перемещения пластин. Также зеленоградские специалисты создали необходимые для установки систему управления и программное обеспечение.

В 2025 году испытания первой российской установки плазмохимического осаждения на 300-мм кремниевых пластинах пройдут в НИИ молекулярной электроники (НИИМЭ, Зеленоград). Интересно, что в НИИМЭ занимаются разработкой своего кластера плазмохимического осаждения под техпроцессы 90-65 нанометров.

Отметим, что появление российского оборудования для работы с 300-миллиметровыми кремниевыми пластинами — ещё один важный шаг на сложном пути создания нашей независимой микроэлектронной промышленности.

 

Источник