Исследователи из двух институтов новосибирского Академгородка разработали технологию формирования наноприборов для нейроморфных систем и нанофотоники. Об этом сообщила пресс-служба Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН).
Уточняется, что методика совместима с кремниевой технологией, благодаря которой производят современные микроэлектронные устройства: сотовые телефоны, компьютеры и другие электронные устройства. Но кремниевые приборы практически достигли своих предельных параметров и нужны новые материалы. Новосибирские учёные предложили решение проблемы, интегрировав синтез диоксида ванадия — материала с новыми свойствами — в существующую кремниевую технологию.
«Авторская технология основана на широко используемой кремниевой технологии, что открывает перспективы для быстрого промышленного внедрения, — отметили в ИФП СО РАН. — Работа сотрудников Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН и Института неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН поддержана Российским научным фондом».
